时间：2025/7/16 14:45:46
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NP84N055NLE 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻特性的场景。该器件采用先进的制造工艺，具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度等特点，适合于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。
该芯片在设计上注重降低功耗和提高效率，能够满足现代电子设备对高能效的需求。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：84A
导通电阻（典型值）：2.6mΩ
栅极电荷（典型值）：117nC
输入电容：3020pF
开关速度：快速开关
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
NP84N055NLE 具备以下显著特性：
1. 高耐压能力：支持高达 55V 的漏源电压，适用于多种高压应用环境。
2. 极低的导通电阻：2.6mΩ 的典型导通电阻使其在大电流应用中表现出色，降低了传导损耗。
3. 快速开关性能：低栅极电荷和优化的内部结构保证了快速的开关速度，从而减少了开关损耗。
4. 宽温度范围：能够在 -55℃ 至 +175℃ 的结温范围内稳定工作，适应各种恶劣环境。
5. 稳定性和可靠性：经过严格的测试和验证，确保在长时间运行中的稳定性。
NP84N055NLE 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于主开关管或同步整流管，提升电源转换效率。
2. DC-DC 转换器：在降压或升压电路中提供高效的开关功能。
3. 电机驱动：适用于无刷直流电机（BLDC）和其他类型电机的驱动控制。
4. 电池保护：在电池管理系统（BMS）中用于充放电路径的控制。
5. 工业自动化：如伺服驱动、机器人控制等场景，要求高可靠性和高效率的应用。
IPW80R026C6, FDP8430
