时间：2025/6/18 22:45:52
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SI3973DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种开关电源、DC/DC 转换器、电机驱动等应用领域。
其封装形式为 PowerPAK SO-8，这种封装方式能够有效降低寄生电感并提高散热性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：24A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷：48nC
总电容：245pF
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
SI3973DV-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提升系统效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
3. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子设计需求。
4. 快速开关速度，减少了开关损耗。
5. 紧凑的封装设计，便于 PCB 布局和安装。
6. 可靠的电气性能和机械性能，适用于严苛的工作环境。
该 MOSFET 广泛应用于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC/DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 各种电池管理系统中的负载开关。
5. 保护电路中的电子保险丝功能实现。
6. LED 驱动器中的功率调节组件。
SI3974DS, IRF3710, FDP5500
