时间：2025/6/21 10:51:25
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SI3971DV-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的高性能 N 沟道增强型 MOSFET，采用小型化封装形式。该器件专为高效率开关应用设计，具有低导通电阻和快速开关速度的特性。其卓越的电气性能使其在消费电子、工业控制及通信设备领域得到广泛应用。
型号：SI3971DV-T1-E3
品牌：Vishay
类型：N沟道增强型MOSFET
Vds（漏源电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：42A
Qg（栅极电荷）：8nC
EAS（雪崩能量）：550mJ
封装：TO-Leadless (TOLL)
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI3971DV-T1-E3 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够在高频开关条件下提供更高的效率。
2. 高额定电流 Id 和较低的热阻，确保了器件在高功率应用中的稳定性和可靠性。
3. 快速的开关速度，降低了开关损耗，并适用于高频电路。
4. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
5. 强大的雪崩能量能力，能够有效应对过压或短路等异常情况。
6. TO-Leadless 封装形式不仅节省空间，还增强了散热性能。
7. 宽泛的工作温度范围，支持极端环境下的使用需求。
该 MOSFET 主要应用于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流器。
2. DC/DC 转换器和逆变器。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 工业自动化和控制系统的功率管理。
5. 通信设备中的高效功率转换模块。
6. LED 照明驱动电路。
SI3972DS, SI4470DY, IRF7743
