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SI3909DV-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/3 16:24:36 查看 阅读:9

SI3909DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用 TO-252 (DPAK) 封装,适用于多种功率控制应用。这款器件以其低导通电阻和高开关速度而闻名,能够在高频条件下提供高效的性能表现。
  该产品特别适合用于负载切换、DC-DC 转换器、电机驱动以及电源管理等应用场合。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:3.8A
  导通电阻:0.028Ω
  总功耗:1.4W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-252 (DPAK)
  输入电容:1080pF

特性

SI3909DV-T1-GE3 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下为 0.028Ω,这可以显著降低功率损耗并提高效率。
  2. 高开关速度,使其非常适合高频应用。
  3. 工作温度范围宽广,支持从 -55°C 到 +175°C 的极端环境,增强了其可靠性。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业要求。
  5. 封装设计紧凑,易于集成到各种电路板中。

应用

SI3909DV-T1-GE3 广泛应用于多个领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换和调节。
  2. 各种 DC-DC 转换器,用于便携式设备或汽车电子系统。
  3. 电机驱动和控制电路,如步进电机或无刷直流电机。
  4. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
  5. 通信设备中的信号放大和功率管理模块。

替代型号

SI3909DS-T1-GE3
  IRLZ44N
  FDP5570
  AON7202

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SI3909DV-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C-
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 1.8A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)500mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs4nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)