SI3909DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用 TO-252 (DPAK) 封装,适用于多种功率控制应用。这款器件以其低导通电阻和高开关速度而闻名,能够在高频条件下提供高效的性能表现。
该产品特别适合用于负载切换、DC-DC 转换器、电机驱动以及电源管理等应用场合。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:3.8A
导通电阻:0.028Ω
总功耗:1.4W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-252 (DPAK)
输入电容:1080pF
SI3909DV-T1-GE3 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下为 0.028Ω,这可以显著降低功率损耗并提高效率。
2. 高开关速度,使其非常适合高频应用。
3. 工作温度范围宽广,支持从 -55°C 到 +175°C 的极端环境,增强了其可靠性。
4. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业要求。
5. 封装设计紧凑,易于集成到各种电路板中。
SI3909DV-T1-GE3 广泛应用于多个领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换和调节。
2. 各种 DC-DC 转换器,用于便携式设备或汽车电子系统。
3. 电机驱动和控制电路,如步进电机或无刷直流电机。
4. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
5. 通信设备中的信号放大和功率管理模块。
SI3909DS-T1-GE3
IRLZ44N
FDP5570
AON7202