类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：650 V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：16 A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：140 A（半正弦波，8.3ms）
　　正向电压（VF）：1.7 V（典型值，@ IF = 8 A, Tj = 25°C）
　　反向漏电流（IR）：100 μA（典型值，@ VR = 650 V, Tj = 25°C）；10 mA（@ VR = 650 V, Tj = 175°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +175 °C
　　储存温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +175 °C
　　热阻结到壳（RθJC）：1.2 °C/W（典型值）
　　封装形式：TO-220AC
　　反向恢复时间（trr）：0 ns（无反向恢复电荷）
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C

UDT1605的核心特性源于其采用的碳化硅材料体系，这种宽带隙半导体材料赋予了器件卓越的电气与热学性能。首先，该二极管具备真正的“零反向恢复”行为，由于其为多数载流子器件，不存在少数载流子的存储效应，因此在关断过程中不会产生反向恢复电流（IRR）或反向恢复电荷（Qrr），这极大地降低了开关过程中的能量损耗，尤其在高频软开关或硬开关拓扑中表现突出。这一特性还有效减少了由di/dt引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI），有助于简化滤波电路设计并提升系统可靠性。
　　其次，UDT1605在高温环境下仍能保持稳定的性能。其最大工作结温高达175°C，远高于传统硅二极管的150°C限制，允许器件在恶劣热环境中持续运行而无需过度降额。同时，碳化硅材料本身具有更高的热导率，使得热量更容易从PN结传导至外壳，结合低至1.2°C/W的结到壳热阻，确保了良好的散热能力，适合高功率密度应用。
　　再者，尽管是碳化硅器件，UDT1605仍保持了相对较低的正向导通压降（VF），在8A电流下典型值仅为1.7V，这有助于降低导通损耗，提高整体转换效率。此外，其反向漏电流虽然随温度升高有所增加，但在同类产品中仍处于合理水平，且可通过优化散热设计加以控制。TO-220封装形式不仅提供了良好的机械强度，也便于安装散热器，适用于工业级和汽车级应用场景。

UDT1605广泛应用于各类高效能电力电子系统中，尤其是在需要高效率、高频率和高可靠性的场合。在开关模式电源（SMPS）中，它常用于PFC（功率因数校正）升压级的输出整流或作为续流二极管，利用其零反向恢复特性减少开关损耗，提升电源效率至95%以上。在光伏（太阳能）逆变器中，UDT1605可用于DC-DC升压转换器或DC-AC逆变桥臂的体二极管替代，显著降低热损耗并提高系统最大输出功率。
　　在电动汽车领域，该器件适用于车载充电机（OBC）和直流快充桩中的功率转换模块，能够在宽输入电压范围内稳定工作，并承受频繁的热循环应力。此外，在工业电机驱动系统中，UDT1605可作为IGBT或MOSFET的续流二极管，消除反向恢复带来的电压振荡和额外损耗，延长主开关器件寿命。
　　其他应用还包括不间断电源（UPS）、服务器电源、电信整流器、感应加热设备以及高密度DC-DC转换器等。由于其优异的高温性能和长期稳定性，UDT1605也适合部署在通风条件受限或环境温度较高的工业现场环境中。

UF3C1605DB7S
　　GSiC1605TB
　　C4D16065A