时间：2025/6/30 10:00:12
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SI3900DV 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等应用。它支持表面贴装封装（SOT-23），有助于提高电路板空间利用率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.6A
导通电阻：5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：8nC（典型值）
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SI3900DV 具有卓越的电气性能，包括非常低的导通电阻，从而减少了传导损耗并提高了系统效率。
其紧凑的 SOT-23 封装非常适合于需要节省 PCB 空间的场合。
由于采用了先进的 TrenchFET 工艺，该器件能够在高频工作条件下保持较低的开关损耗。
此外，它的高雪崩能量能力增强了可靠性，适合严苛的工作环境。
此 MOSFET 支持高效同步整流设计，并且具备出色的热稳定性。
该芯片广泛应用于消费类电子产品中的电源管理领域，例如笔记本电脑适配器、手机充电器以及 USB-PD 接口电路。
在工业自动化方面，可用于小型化电机控制和固态继电器。
另外，在通信设备中，如基站电源模块或者网络交换机内部，也能发挥重要作用。
还适用于 LED 驱动器和汽车电子系统的负载切换等功能块。
SI3885DS, SI3897DP
