时间：2025/5/10 11:17:09
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SI3585DV-T1 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术制造，具有极低的导通电阻和高开关速度，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。其封装形式为 ThinPAK 8x8，有助于提高功率密度并降低热阻。
型号：SI3585DV-T1
类型：N 沟道 MOSFET
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻，典型值@VGS=10V）：2.5mΩ
ID（连续漏极电流）：127A
Qg（总栅极电荷）：40nC
Eoss（输出电容能量损耗）：135nJ
VGS(th)（栅源开启电压）：2.3V~4.5V
fT（特征频率）：9.7MHz
Tj（工作结温范围）：-55℃~175℃
封装：ThinPAK 8x8
SI3585DV-T1 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，使其在高电流应用中具备出色的效率表现。
2. 高速开关性能，得益于较低的栅极电荷 Qg 和优化的寄生电容设计。
3. 小型化封装 ThinPAK 8x8 提供了卓越的散热性能，同时节省 PCB 空间。
4. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺生产。
5. 可靠性高，适合长时间高温环境运行。
6. 宽广的工作温度范围，确保在极端条件下的稳定性。
SI3585DV-T1 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
3. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动。
4. 电池管理系统 (BMS) 的负载开关。
5. 汽车电子系统中的电源管理模块。
6. 数据中心服务器和通信设备的电源转换电路。
SI3472DP-T1
SI3483DP-T1
IRF7742
FDP5510
