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SI3585CDV-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/5 12:31:41 查看 阅读:12

Si3585CDV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术,具有低导通电阻和快速开关性能,适用于高频开关应用。其封装形式为 PowerPAK? 1212-8,适合表面贴装工艺,广泛应用于功率转换、电机驱动以及负载切换等领域。
  Si3585CDV-T1-GE3 的设计目标是优化效率和降低功耗,特别适合于需要高电流密度和高温工作的场景。其工作电压范围高达 30V,能够满足多种工业和消费类电子产品的设计需求。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:49A
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,@Vgs=10V)
  栅极电荷:28nC(典型值)
  输入电容:1360pF(典型值)
  总热阻(结到环境):45°C/W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:PowerPAK? 1212-8

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 高电流处理能力,额定漏极电流可达 49A。
  3. 快速开关性能,可有效减少开关损耗。
  4. 小尺寸封装 PowerPAK? 1212-8,节省 PCB 空间。
  5. 宽工作温度范围(-55°C 至 +175°C),适应各种恶劣环境。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  7. 内置反向二极管,支持同步整流和续流保护功能。
  8. 可靠性高,经过严格的质量测试。

应用

1. DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 同步整流电路中的主开关或同步整流 MOSFET。
  3. 电池管理系统中的负载开关。
  4. 电机驱动电路中的功率级开关。
  5. 工业自动化设备中的电源管理模块。
  6. 通信设备中的功率分配与控制。
  7. 消费类电子产品中的高效功率转换方案。
  8. LED 驱动器中的开关元件。

替代型号

Si3586DP-T1-GE3, Si3486DY-E3

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SI3585CDV-T1-GE3参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压+/- 20 V
  • 闸/源击穿电压12 V
  • 漏极连续电流3.9 A, - 2.1 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.048 Ohms, 0.162 Ohms
  • 配置Single
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TSOP-6
  • 封装Reel
  • 下降时间8 ns, 7 ns
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值)12 S, 1 S
  • 栅极电荷 Qg3.2 nC
  • 功率耗散1.4 Watts
  • 上升时间20 ns, 10 ns
  • 典型关闭延迟时间11 ns, 13 ns
  • 零件号别名SI3585CDV-GE3