时间：2025/6/5 12:31:41
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Si3585CDV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术，具有低导通电阻和快速开关性能，适用于高频开关应用。其封装形式为 PowerPAK? 1212-8，适合表面贴装工艺，广泛应用于功率转换、电机驱动以及负载切换等领域。
Si3585CDV-T1-GE3 的设计目标是优化效率和降低功耗，特别适合于需要高电流密度和高温工作的场景。其工作电压范围高达 30V，能够满足多种工业和消费类电子产品的设计需求。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：49A
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ（典型值，@Vgs=10V）
栅极电荷：28nC（典型值）
输入电容：1360pF（典型值）
总热阻（结到环境）：45°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：PowerPAK? 1212-8
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流处理能力，额定漏极电流可达 49A。
3. 快速开关性能，可有效减少开关损耗。
4. 小尺寸封装 PowerPAK? 1212-8，节省 PCB 空间。
5. 宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C），适应各种恶劣环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
7. 内置反向二极管，支持同步整流和续流保护功能。
8. 可靠性高，经过严格的质量测试。
1. DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 同步整流电路中的主开关或同步整流 MOSFET。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级开关。
5. 工业自动化设备中的电源管理模块。
6. 通信设备中的功率分配与控制。
7. 消费类电子产品中的高效功率转换方案。
8. LED 驱动器中的开关元件。
Si3586DP-T1-GE3, Si3486DY-E3
