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SI3495DV-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/6 16:34:08 查看 阅读:21

SI3495DV-T1-GE3 是一款由 Semtech 公司生产的高性能、低功耗的 RS-485 收发器芯片。该芯片专为工业自动化、楼宇控制和数据通信等应用设计,能够提供高抗干扰能力和宽共模电压范围,适用于多点差分数据传输系统。
  其设计符合 TIA/EIA-485-A 标准,支持高达 50Mbps 的数据传输速率,并且具有出色的 ESD(静电放电)保护性能。

参数

工作电压:2.7V 至 5.5V
  最大数据速率:50Mbps
  接收器输入灵敏度:±200mV
  驱动器输出短路保护:有
  ESD 保护:HBM ≥ 8kV
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:MSOP-10

特性

SI3495DV-T1-GE3 芯片具备以下显著特点:
  1. 高速数据传输能力,支持最高 50Mbps 的速率,适合对实时性要求较高的应用场景。
  2. 宽供电电压范围(2.7V 至 5.5V),兼容多种电源环境。
  3. 强大的 ESD 保护功能,可有效防止因静电导致的芯片损坏,提高系统的可靠性。
  4. 内置短路保护机制,避免驱动器输出端发生短路时损坏芯片。
  5. 低功耗设计,在待机模式下电流消耗极低,非常适合电池供电的应用场景。
  6. 工业级的工作温度范围(-40°C 至 +125°C),确保在极端环境下稳定运行。
  7. 小型 MSOP-10 封装,节省 PCB 空间,简化布局设计。

应用

该芯片广泛应用于需要可靠数据通信的各种领域:
  1. 工业自动化控制系统中的设备互联。
  2. 楼宇管理系统,例如 HVAC(暖通空调)、照明控制等。
  3. 数据采集与监控系统(SCADA)。
  4. 环境监测仪器和远程传感器网络。
  5. POS 终端和其他需要多点通信的商业设备。
  6. 医疗设备中的数据通信模块。

替代型号

SI3494DV-T1-GE3
  MAX1487
  SN65HVD230

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SI3495DV-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24 毫欧 @ 7A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)750mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)