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IXFN80N50Q3 发布时间 时间:2025/8/6 11:04:07 查看 阅读:20

IXFN80N50Q3 是一款由 Littelfuse(原 IXYS)制造的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高功率、高频率和低导通电阻应用而设计,广泛用于电源转换器、DC-DC 转换器、电机控制、UPS 和其他高功率电子系统中。该 MOSFET 采用 TO-247 封装,具有优良的热性能和高电流承载能力,适用于需要高效能和高可靠性的工业和商业应用。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏极电流 (ID):80A
  最大漏源电压 (VDS):500V
  最大栅源电压 (VGS):±20V
  导通电阻 (RDS(on)):典型值 0.075Ω
  漏极功耗 (PD):300W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-247

特性

IXFN80N50Q3 的核心特性之一是其非常低的导通电阻(RDS(on)),这使得该器件在高电流应用中具有较低的功率损耗,从而提高了整体系统效率。此外,该 MOSFET 具有快速开关能力,适用于高频开关应用,能够有效减少开关损耗。该器件还具备良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,提高了系统的可靠性和寿命。
  该 MOSFET 采用了先进的平面技术,优化了电场分布,从而提高了器件的耐压能力。其 TO-247 封装提供了良好的散热性能,确保在高功率负载下仍能保持较低的结温。此外,IXFN80N50Q3 还具有较强的抗雪崩能力和过载承受能力,适合在严苛的工业环境中使用。
  在栅极驱动方面,该器件支持标准 10V 栅极驱动电压,同时也兼容低电压控制电路,便于与各种控制芯片(如 PWM 控制器)配合使用。这使得 IXFN80N50Q3 在设计上更加灵活,适用于多种拓扑结构,如半桥、全桥、推挽和同步整流等。

应用

IXFN80N50Q3 主要应用于各类高功率电源系统,包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、逆变器、UPS(不间断电源)、电机驱动器、工业自动化设备以及太阳能逆变器等。由于其高耐压、大电流能力和低导通电阻,特别适合用于高效率电源转换和高频开关应用。在电动汽车和新能源系统中,该 MOSFET 可用于电池管理系统和功率调节电路。

替代型号

IXFN80N50P3, IXFH80N50Q2, IXFK80N50Q2

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IXFN80N50Q3参数

  • 特色产品Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs
  • 标准包装10
  • 类别半导体模块
  • 家庭FET
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C63A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C65 毫欧 @ 40A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)6.5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs200nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds10000pF @ 25V
  • 功率 - 最大780W
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装SOT-227B
  • 包装管件