时间：2025/6/29 15:11:15
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SI3493DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 (DPAK) 封装。该器件具有低导通电阻和高击穿电压的特点，适用于各种高效能开关应用。其设计旨在优化功率转换效率并降低热损耗，非常适合消费电子、工业控制和通信设备中的负载切换及电源管理。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：12A
导通电阻（典型值）：18mΩ
栅极电荷：19nC
总电容：1050pF
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
SI3493DV-T1-GE3 的主要特点是其出色的电气性能与可靠性。
1. 低导通电阻确保了更低的传导损耗，从而提高整体系统效率。
2. 高击穿电压支持更宽的工作范围，适合多类电压应用场景。
3. 小巧的 DPAK 封装简化了 PCB 设计，同时具备良好的散热性能。
4. 快速开关能力使其能够满足高频开关电路的需求。
5. 工作温度范围广，能够在极端环境下保持稳定运行。
该芯片广泛应用于多种领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电池保护和负载切换电路。
4. 电机驱动和逆变器。
5. 各种便携式设备的电源管理模块。
由于其高效的开关特性和低功耗，它在消费电子产品和工业自动化中尤为适用。
SI3492DS, IRFZ44N, FDP5500
