时间：2025/9/2 11:07:05
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H27UAG8T2CTR-BC 是一款由Hynix（现为SK hynix）制造的NAND闪存芯片，属于高密度、高性能的存储解决方案，广泛应用于消费类电子产品、工业设备、存储卡以及固态硬盘（SSD）等领域。该型号属于TLC（Triple-Level Cell）类型的NAND闪存，具有较高的存储密度和相对较低的单位成本，适合需要大容量存储的应用场景。
容量：8GB（8,589,934,592字节）
工艺制程：约40nm或更先进
接口类型：ONFI 2.3兼容
电压范围：2.7V至3.6V
读取速度：最高可达50MB/s
写入速度：最高可达20MB/s
擦除速度：块擦除时间约为2ms
块数量：1024 blocks
页大小：4KB（每页）
块大小：128KB（每块）
ECC要求：需要外部ECC校正（一般要求8位或以上）
封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
H27UAG8T2CTR-BC NAND闪存芯片采用TLC技术，允许每个存储单元存储三个比特的数据，从而提高了存储密度并降低了每GB的成本。该芯片支持ONFI 2.3标准接口，便于与各种控制器兼容，提升系统集成的灵活性。
在可靠性方面，H27UAG8T2CTR-BC具有较长的擦写寿命（P/E周期约3000次），适用于中等写入强度的应用场景。同时，该芯片内置坏块管理功能，支持系统在出厂时标记坏块，确保数据的完整性和系统的稳定性。
低功耗设计是其另一大特点，适合便携式设备和电池供电系统使用。TSOP封装形式具有良好的散热性能和机械稳定性，能够在工业级温度范围内稳定运行，适应各种严苛的环境条件。
此外，H27UAG8T2CTR-BC还支持缓存编程（Cache Program）和随机数据输出等功能，提高了数据读写的效率和灵活性，适用于需要快速响应和高吞吐量的存储系统。
H27UAG8T2CTR-BC NAND闪存芯片适用于多种嵌入式系统和存储设备，包括但不限于智能手机、平板电脑、USB闪存盘、SD卡、eMMC模块、工业控制设备、车载娱乐系统以及低端固态硬盘（SSD）等。其高容量、低成本和良好的兼容性使其成为中低端存储应用的理想选择。在消费电子领域，它可用于存储操作系统、应用程序、用户数据等；在工业控制和汽车电子中，则可作为可靠的非易失性存储介质，满足数据持久存储的需求。
H27UCG8T2CTR-BC, H27UCG8T2BTR-BC, H27UBG8T2CTR-BC
