H27UAG8T2CTR-BC 是一款由Hynix(现为SK hynix)制造的NAND闪存芯片,属于高密度、高性能的存储解决方案,广泛应用于消费类电子产品、工业设备、存储卡以及固态硬盘(SSD)等领域。该型号属于TLC(Triple-Level Cell)类型的NAND闪存,具有较高的存储密度和相对较低的单位成本,适合需要大容量存储的应用场景。
容量:8GB(8,589,934,592字节)
工艺制程:约40nm或更先进
接口类型:ONFI 2.3兼容
电压范围:2.7V至3.6V
读取速度:最高可达50MB/s
写入速度:最高可达20MB/s
擦除速度:块擦除时间约为2ms
块数量:1024 blocks
页大小:4KB(每页)
块大小:128KB(每块)
ECC要求:需要外部ECC校正(一般要求8位或以上)
封装形式:TSOP(Thin Small Outline Package)
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
H27UAG8T2CTR-BC NAND闪存芯片采用TLC技术,允许每个存储单元存储三个比特的数据,从而提高了存储密度并降低了每GB的成本。该芯片支持ONFI 2.3标准接口,便于与各种控制器兼容,提升系统集成的灵活性。
在可靠性方面,H27UAG8T2CTR-BC具有较长的擦写寿命(P/E周期约3000次),适用于中等写入强度的应用场景。同时,该芯片内置坏块管理功能,支持系统在出厂时标记坏块,确保数据的完整性和系统的稳定性。
低功耗设计是其另一大特点,适合便携式设备和电池供电系统使用。TSOP封装形式具有良好的散热性能和机械稳定性,能够在工业级温度范围内稳定运行,适应各种严苛的环境条件。
此外,H27UAG8T2CTR-BC还支持缓存编程(Cache Program)和随机数据输出等功能,提高了数据读写的效率和灵活性,适用于需要快速响应和高吞吐量的存储系统。
H27UAG8T2CTR-BC NAND闪存芯片适用于多种嵌入式系统和存储设备,包括但不限于智能手机、平板电脑、USB闪存盘、SD卡、eMMC模块、工业控制设备、车载娱乐系统以及低端固态硬盘(SSD)等。其高容量、低成本和良好的兼容性使其成为中低端存储应用的理想选择。在消费电子领域,它可用于存储操作系统、应用程序、用户数据等;在工业控制和汽车电子中,则可作为可靠的非易失性存储介质,满足数据持久存储的需求。
H27UCG8T2CTR-BC, H27UCG8T2BTR-BC, H27UBG8T2CTR-BC