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SI3481DV-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/5 22:02:51 查看 阅读:8

SI3481DV-T1-E3 是一款由 Siliconix(现为 Vishay 的一部分)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TSSOP-6 封装,适用于功率管理、负载开关和保护电路等应用。它具有低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关性能,非常适合于便携式设备、电源适配器和电池供电系统中的高效能应用。
  这款 MOSFET 的设计重点在于降低功耗并提高效率,同时保持较高的耐用性和可靠性。其低栅极电荷特性有助于减少开关损耗,而小尺寸封装则使其易于集成到空间受限的设计中。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:5.2A
  导通电阻:7mΩ
  栅极电荷:9nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装类型:TSSOP-6

特性

SI3481DV-T1-E3 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),在典型值为 7mΩ 时能够显著降低传导损耗。
  2. 快速开关能力,得益于其较低的栅极电荷 (Qg),这有助于减少开关损耗。
  3. 超小型 TSSOP-6 封装节省了印刷电路板上的空间,特别适合手持设备和其他紧凑型应用。
  4. 宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +150°C) 确保了其在极端环境下的稳定性与可靠性。
  5. 具备高雪崩能力和坚固的构造,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

SI3481DV-T1-E3 广泛应用于以下领域:
  1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
  2. USB 充电器和电源适配器中的同步整流。
  3. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
  4. 工业自动化设备中的小型电机驱动控制。
  5. LED 驱动器中的功率转换级。
  6. 数据通信设备中的信号切换功能。

替代型号

SI3482DS, SI3483DS

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SI3481DV-T1-E3参数

  • 数据列表SI3481DV
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C48 毫欧 @ 5.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.14W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI3481DV-T1-E3TR