时间：2025/6/5 22:02:51
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SI3481DV-T1-E3 是一款由 Siliconix（现为 Vishay 的一部分）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TSSOP-6 封装，适用于功率管理、负载开关和保护电路等应用。它具有低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关性能，非常适合于便携式设备、电源适配器和电池供电系统中的高效能应用。
这款 MOSFET 的设计重点在于降低功耗并提高效率，同时保持较高的耐用性和可靠性。其低栅极电荷特性有助于减少开关损耗，而小尺寸封装则使其易于集成到空间受限的设计中。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：5.2A
导通电阻：7mΩ
栅极电荷：9nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TSSOP-6
SI3481DV-T1-E3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在典型值为 7mΩ 时能够显著降低传导损耗。
2. 快速开关能力，得益于其较低的栅极电荷 (Qg)，这有助于减少开关损耗。
3. 超小型 TSSOP-6 封装节省了印刷电路板上的空间，特别适合手持设备和其他紧凑型应用。
4. 宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +150°C) 确保了其在极端环境下的稳定性与可靠性。
5. 具备高雪崩能力和坚固的构造，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
SI3481DV-T1-E3 广泛应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
2. USB 充电器和电源适配器中的同步整流。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
4. 工业自动化设备中的小型电机驱动控制。
5. LED 驱动器中的功率转换级。
6. 数据通信设备中的信号切换功能。
SI3482DS, SI3483DS
