时间：2025/6/9 9:10:02
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SI3473CDV-T1-GE3 是一款由 Semtech 公司生产的 MOSFET 功率开关器件，属于低导通电阻的 N 沟道增强型场效应晶体管。该芯片设计用于要求高效功率转换和开关性能的应用场景，例如 DC-DC 转换器、负载开关以及各种电源管理电路。
其封装形式为 TSSOP-6，具有出色的热特性和电气性能，同时具备较高的耐用性和可靠性，能够在较宽的工作电压范围内保持稳定的运行。
型号：SI3473CDV-T1-GE3
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds：60V
最大栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：12A
导通电阻 Rds(on)：8.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷 Qg：12nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TSSOP-6
SI3473CDV-T1-GE3 的主要特点是低导通电阻，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。此外，该器件还具有快速开关速度和较低的栅极电荷，从而减少了开关损耗。其高击穿电压（60V）确保了在多种应用场景下的稳定性，特别是在高电压环境中。
器件内置的保护机制可以有效防止过流和过温问题，从而提升整体系统的可靠性。由于其采用小型化的 TSSOP-6 封装，因此非常适合对空间敏感的设计，同时也支持高效的散热管理。
SI3473CDV-T1-GE3 广泛应用于需要高性能功率开关的领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率级控制
2. DC-DC 转换器中的同步整流
3. 各类负载开关和保护电路
4. 工业设备中的电机驱动和电源管理
5. 通信设备中的高效功率转换
该器件凭借其卓越的电气性能和可靠性，成为许多工程师在设计电源相关产品时的理想选择。
SI3472CDV-T1-GE3
SI3474CDV-T1-GE3
IRF540N
