时间：2025/5/12 21:50:48
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IPD096N08N3GATMA1 是一款 N 沣道开关，属于 Infineon（英飞凌）的CoolMOS系列。该器件采用了先进的功率 MOSFET 技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于多种高频开关应用。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-247-3，具备较高的电流和电压处理能力。其主要特点是能够在高频工作条件下保持较低的开关损耗，同时提供出色的热性能。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：9.6A
导通电阻：15mΩ
栅极电荷：12nC
总电容：10pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
IPD096N08N3GATMA1 提供了低导通电阻 (Rds(on)) 和优化的开关性能，能够显著降低功率损耗。它还拥有快速开关速度和高能效，在硬开关和软开关应用中表现出色。
此外，这款 MOSFET 具备良好的雪崩能力和抗静电能力，确保在各种恶劣环境下可靠运行。其 TO-247-3 封装提供了卓越的散热性能，有助于提高系统的整体效率。
典型应用场景包括开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器以及其他需要高效功率转换的设备。
该芯片广泛应用于工业和消费电子领域中的功率转换电路。
具体应用包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机控制
4. 太阳能逆变器
5. LED 驱动电路
由于其出色的高频性能和高效率，IPD096N08N3GATMA1 成为许多设计工程师的首选。
IPB096N08N3GATMA1
IPP096N08N3GATMA1
