时间：2025/6/9 9:08:04
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SI3467DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TrenchFET? 第三代技术制造。该器件具有极低的导通电阻（Rds(on)），适用于高频开关应用和负载切换等场景。其封装形式为 Hot FET? 3x3 PDFN (T1)，这种封装方式有助于提高散热性能并减少寄生电感，从而提升整体效率。
该芯片的设计目标是满足消费电子、通信设备及工业控制等领域对高效能和小型化的要求。
最大漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：8A
导通电阻(Rds(on))：1.3mΩ（在 Vgs=10V 时）
总栅极电荷(Qg)：9nC
输入电容(Ciss)：1400pF
输出电容(Coss)：250pF
反向传输电容(Crss)：150pF
结温范围：-55°C 至 +175°C
SI3467DV-T1-GE3 的主要特点是其超低的导通电阻，这使得它在高效率电源转换应用中表现出色。同时，其紧凑的封装尺寸和优秀的热性能也使其成为空间受限设计的理想选择。
此外，TrenchFET? 第三代技术的应用进一步降低了器件的开关损耗，提高了工作频率上限。器件还具备良好的 ESD 防护能力以及稳健的短路耐受能力，能够适应严苛的工作环境。
由于其出色的电气特性和可靠性，这款 MOSFET 能够显著降低系统功耗，同时简化 PCB 布局和热管理设计。
SI3467DV-T1-GE3 广泛应用于 DC/DC 转换器、同步整流电路、电池保护电路、负载开关、电机驱动等领域。在便携式设备、笔记本电脑适配器、服务器电源以及电信设备等场合中均有出色表现。
具体来说，它可以用于以下场景：
1. 高频降压转换器中的主开关管或同步整流管。
2. 多相供电系统的功率级元件。
3. USB-PD 快充解决方案中的开关元件。
4. 各种负载点 (POL) 转换模块。
SI3466DS, SI3472DS
