时间：2025/6/20 23:37:11
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SI3460DV-T1-GE3 是一款来自 Vishay 的 N 沁道场效应晶体管 (N-MOSFET)，适用于高频和高效率开关应用。该器件采用 TSSOP-6 封装，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升功率转换电路的性能。
该 MOSFET 主要用于需要高效能、小尺寸解决方案的应用场景，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.5A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：7.9nC
开关速度：超快
封装类型：TSSOP-6
SI3460DV-T1-GE3 具有非常低的导通电阻（Rds(on)），在 4.5V 栅极驱动电压下仅为 4.5mΩ，这使其能够在开关过程中保持较低的功耗并减少发热。
此外，其栅极电荷较小，仅为 7.9nC，从而确保了更快的开关速度和更高的工作效率。
器件的超小型 TSSOP-6 封装设计非常适合空间受限的应用环境，并且其额定工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应性强，可满足多种工业及汽车级应用需求。
同时，由于其高可靠性设计，SI3460DV-T1-GE3 在极端条件下的表现也非常稳定。
该 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统以及各种电源管理电路中。其快速开关特性和低导通电阻使其成为高效能电源设计的理想选择。
另外，在便携式电子设备、通信基础设施、消费类电子产品和工业自动化领域中也常常见到 SI3460DV-T1-GE3 的身影。
SI3446DP-T1-GE3
IRLML6402TRPBF
FDS6680
