BSP128是一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件通常用于需要高效功率转换和开关的应用场景中,例如DC-DC转换器、开关电源、电机驱动以及负载切换等。BSP128采用了SOT-23封装形式,体积小巧且易于安装,适用于空间受限的设计。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:1.2A
导通电阻(典型值):0.75Ω
栅极电荷:4nC
开关时间:ton=11ns, toff=9ns
工作结温范围:-55℃至+150℃
BSP128的主要特点是其低导通电阻和快速的开关性能,这使其在高频应用中能够减少功耗并提升效率。
此外,该器件具有良好的热稳定性和可靠性,在极端温度条件下也能保持稳定的性能表现。
SOT-23封装使其成为表面贴装设计的理想选择,同时具备优秀的散热性能。
BSP128广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。
具体应用场景包括但不限于:
1. 开关电源和DC-DC转换器中的功率开关;
2. 便携式设备中的负载切换电路;
3. 电机驱动和H桥电路中的功率级元件;
4. LED驱动和背光调节中的开关元件。
BSS128
IRLML2402
FDD8880