时间：2025/6/30 22:58:12
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SI3457DV-T1 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管，采用 TSSOP-8 封装形式。该器件主要应用于功率管理、开关电源和负载切换等领域。由于其低导通电阻和快速开关特性，它在高效率和高性能应用中表现出色。
该 MOSFET 的设计结合了先进的硅技术和封装工艺，能够在较宽的工作电压范围内提供稳定的性能表现。此外，其出色的热特性和电气参数使其非常适合于需要高效能和高可靠性的应用环境。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：4.9A
导通电阻（Rds(on)）：80mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗：1.2W
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TSSOP-8
SI3457DV-T1 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低传导损耗，提升整体系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适合现代高效的开关电源设计。
3. 较高的雪崩耐量和鲁棒性，能够在异常条件下保护电路免受损坏。
4. 高电流处理能力，确保在大电流负载下的稳定运行。
5. 宽工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
SI3457DV-T1 广泛应用于多种领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 各类负载切换和电机驱动应用。
3. 工业设备中的电源管理和控制。
4. 消费类电子产品的适配器和充电器。
5. 通信设备中的电源解决方案。
6. 便携式设备的电池管理及保护电路。
SI3457DS-T1
IRLZ44N
FDP5570
AO3400
