时间：2025/4/28 10:14:19
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SI3457CDV是Siliconix公司（现属于Vishay）推出的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用了TrenchFET Gen III技术，具有低导通电阻和高效率的特点，非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等应用场合。
SI3457CDV封装形式为PowerPAK MLP1212-8，其紧凑的尺寸有助于节省PCB空间，同时保持出色的电气性能。该器件支持高频率操作，并在各种工作条件下提供稳定的性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：14A
导通电阻：1.3mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：39nC（典型值）
输入电容：2050pF（典型值）
反向传输电容：30pF（典型值）
总功耗：15W
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻使得SI3457CDV能够在高电流应用中实现更高效的功率转换。
2. 采用先进的TrenchFET Gen III技术，优化了开关特性和导通性能。
3. 支持高达175℃的工作结温，适用于恶劣环境下的工业和汽车应用。
4. PowerPAK MLP1212-8封装具有良好的热性能和电气连接性。
5. 快速开关能力使其适用于高频电路设计，从而减少磁性元件的体积和成本。
6. 符合RoHS标准，确保环保合规性。
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. DC-DC转换器，包括降压、升压和反激拓扑结构。
3. 电池管理系统的充放电控制开关。
4. 负载开关和电机驱动器中的功率级组件。
5. 工业设备和汽车电子中的功率分配与保护电路。
IRL3803TRPBF, AO6602, FDS6670A
