时间：2025/6/18 12:24:07
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SI3457BDV-T1-GE3 是一款由 Siliconix（现为 Vishay 的一部分）生产的 N 沟道逻辑增强型 MOSFET。该器件采用小型表面贴装封装，广泛用于需要高效功率开关的场景。
此型号具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各种电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电池保护电路等。
最大漏源电压：30V
最大连续漏极电流：4.6A
导通电阻（Rds(on)）：90mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 时）
栅极电荷：8nC（典型值）
总电容：270pF（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
SI3457BDV-T1-GE3 具有以下特点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用。
3. 小尺寸 SOT-23 封装，便于在空间受限的设计中使用。
4. 提供良好的热性能，能够承受较高的电流密度。
5. 高可靠性设计，确保在严苛环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，支持环保要求。
该 MOSFET 广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流和功率转换。
2. 便携式设备中的负载开关和电池保护。
3. 电机驱动和 LED 驱动电路。
4. 通信设备中的信号切换。
5. 各类工业控制和消费电子产品的功率管理模块。
SI3458BDV-T1-GE3, BSS138
