时间：2025/5/7 12:04:56
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SI3453DV-T5-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型硅 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术，具有低导通电阻和高效率的特性，适合于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及其他功率管理应用。
其封装形式为 ThinPAK 8x8，具备出色的热性能和电气性能，能够有效降低功耗并提高系统的整体效率。
型号：SI3453DV-T5-GE3
类型：N 沟道 MOSFET
VDS（漏源电压）：30 V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：1.2 mΩ
ID（连续漏极电流）：170 A
VGS(th)（栅极阈值电压）：1.25 V
Qg（总栅极电荷）：35 nC
EAS（雪崩能量）：1.6 mJ
封装：ThinPAK 8x8
SI3453DV-T5-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，有助于减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高额定电流 ID 和低栅极电荷 Qg，可实现快速开关和低开关损耗。
3. TrenchFET 第三代技术的应用，进一步优化了性能和可靠性。
4. 小型化封装设计，节省 PCB 空间，同时提供良好的散热性能。
5. 支持宽范围的工作电压，适用于多种功率转换场景。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
这些特点使 SI3453DV-T5-GE3 成为高性能功率管理应用的理想选择。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
3. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
4. 工业电机驱动和逆变器电路。
5. 数据中心服务器和通信设备中的电源管理。
6. 高效 LED 驱动器设计。
其卓越的性能使其能够在各种严苛环境下保持稳定运行，满足不同行业的需求。
SI3454DS-T5-GE3, IRF3710TRPBF, FDP069N06L
