时间：2025/8/9 11:27:48
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FMH17N60ES是一款高压大功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于各种高电压和高电流应用。这款MOSFET采用了先进的平面技术，具有优异的导通和开关性能，能够在高电压环境下稳定工作。其600V的漏源击穿电压使其适用于中高功率电源转换系统。FMH17N60ES通常采用TO-220或TO-3P封装，便于散热和集成。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±30V
最大连续漏极电流(Id)：17A（在25°C时）
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.35Ω
最大耗散功率(Pd)：150W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220/TO-3P
FMH17N60ES具有多个显著的技术特性。首先，其600V的高漏源电压能力使其适用于高电压开关应用，如电源适配器、工业电源、电机控制和照明系统。其次，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为0.35Ω，有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，FMH17N60ES在高温下仍能保持稳定的工作性能，适用于要求高可靠性的应用场景。
该器件还具备良好的热稳定性，其封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下的可靠运行。FMH17N60ES的栅极驱动特性也较为优良，能够快速响应开关信号，降低开关损耗。此外，其封装形式（如TO-220）便于安装和散热，适合在各种电子设备中使用。综合这些特性，FMH17N60ES是一款性能优良、适用性广泛的功率MOSFET。
FMH17N60ES广泛应用于需要高电压和高电流处理能力的电子系统中。常见的应用包括电源转换器、DC-AC逆变器、电机驱动器、照明控制系统（如LED驱动电源）、工业自动化设备以及不间断电源（UPS）系统。由于其高耐压和低导通电阻的特性，FMH17N60ES特别适合用于开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中，能够有效提升系统效率和可靠性。此外，在电动工具、家电控制和汽车电子系统中，该MOSFET也能提供稳定可靠的功率开关功能。
FQA17N60C、K2143、FGA17N60SMD、STF17N60DM2、SPW20N60S5
