时间：2025/6/3 14:32:18
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SI3447DV-T1-E3 是一款由 Siliconix（现为 Vishay 的一部分）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种功率转换和负载开关应用。
该 MOSFET 在设计上优化了栅极电荷和导通电阻的权衡，从而提高了系统的整体效率并减少了功耗。其出色的性能使其成为消费电子、通信设备和工业应用的理想选择。
型号：SI3447DV-T1-E3
类型：N 沟道 MOSFET
Vds（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：1.8mΩ @ Vgs=10V
Id（连续漏极电流）：52A
Qg（总栅极电荷）：9nC
EAS（雪崩能量）：450mJ
封装：TO-263-3（D2PAK）
SI3447DV-T1-E3 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
2. 高额定电流能力，适合大功率应用。
3. 紧凑的 D2PAK 封装形式，便于安装和散热管理。
4. 采用先进的 TrenchFET 第三代技术，实现了更小的尺寸和更低的寄生参数。
5. 提供卓越的热稳定性和可靠性，支持长时间运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电路中。
该器件在高频开关应用中表现出色，能够有效降低开关损耗和电磁干扰（EMI）。此外，其坚固的设计也确保了在恶劣环境下的可靠工作。
SI3447DV-T1-E3 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 电机驱动器和逆变器。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 通信基础设施中的高效功率分配网络。
7. 消费类电子产品中的快速充电解决方案。
由于其高效的功率转换能力和较低的热生成，该 MOSFET 特别适合需要高密度功率处理的应用场景。
SI3406DS-T1-E3
IRLZ44N
FDP5570
AO3400A
