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SI3447DV-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/3 14:32:18 查看 阅读:8

SI3447DV-T1-E3 是一款由 Siliconix(现为 Vishay 的一部分)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于各种功率转换和负载开关应用。
  该 MOSFET 在设计上优化了栅极电荷和导通电阻的权衡,从而提高了系统的整体效率并减少了功耗。其出色的性能使其成为消费电子、通信设备和工业应用的理想选择。

参数

型号:SI3447DV-T1-E3
  类型:N 沟道 MOSFET
  Vds(漏源电压):30V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):1.8mΩ @ Vgs=10V
  Id(连续漏极电流):52A
  Qg(总栅极电荷):9nC
  EAS(雪崩能量):450mJ
  封装:TO-263-3(D2PAK)

特性

SI3447DV-T1-E3 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于减少导通损耗,提高系统效率。
  2. 高额定电流能力,适合大功率应用。
  3. 紧凑的 D2PAK 封装形式,便于安装和散热管理。
  4. 采用先进的 TrenchFET 第三代技术,实现了更小的尺寸和更低的寄生参数。
  5. 提供卓越的热稳定性和可靠性,支持长时间运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电路中。
  该器件在高频开关应用中表现出色,能够有效降低开关损耗和电磁干扰(EMI)。此外,其坚固的设计也确保了在恶劣环境下的可靠工作。

应用

SI3447DV-T1-E3 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC 转换器中的功率开关。
  3. 电池管理系统中的负载开关。
  4. 电机驱动器和逆变器。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 通信基础设施中的高效功率分配网络。
  7. 消费类电子产品中的快速充电解决方案。
  由于其高效的功率转换能力和较低的热生成,该 MOSFET 特别适合需要高密度功率处理的应用场景。

替代型号

SI3406DS-T1-E3
  IRLZ44N
  FDP5570
  AO3400A

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SI3447DV-T1-E3参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压12 V
  • 闸/源击穿电压+/- 8 V
  • 漏极连续电流5.2 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.05 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TSOP-6
  • 封装Reel
  • 下降时间75 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散2 W
  • 上升时间45 ns
  • 工厂包装数量3000
  • 商标名TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间100 ns
  • 零件号别名SI3447DV-E3