SI3447DV-T1-E3 是一款由 Siliconix(现为 Vishay 的一部分)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于各种功率转换和负载开关应用。
该 MOSFET 在设计上优化了栅极电荷和导通电阻的权衡,从而提高了系统的整体效率并减少了功耗。其出色的性能使其成为消费电子、通信设备和工业应用的理想选择。
型号:SI3447DV-T1-E3
类型:N 沟道 MOSFET
Vds(漏源电压):30V
Rds(on)(导通电阻,典型值):1.8mΩ @ Vgs=10V
Id(连续漏极电流):52A
Qg(总栅极电荷):9nC
EAS(雪崩能量):450mJ
封装:TO-263-3(D2PAK)
SI3447DV-T1-E3 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于减少导通损耗,提高系统效率。
2. 高额定电流能力,适合大功率应用。
3. 紧凑的 D2PAK 封装形式,便于安装和散热管理。
4. 采用先进的 TrenchFET 第三代技术,实现了更小的尺寸和更低的寄生参数。
5. 提供卓越的热稳定性和可靠性,支持长时间运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电路中。
该器件在高频开关应用中表现出色,能够有效降低开关损耗和电磁干扰(EMI)。此外,其坚固的设计也确保了在恶劣环境下的可靠工作。
SI3447DV-T1-E3 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 电机驱动器和逆变器。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 通信基础设施中的高效功率分配网络。
7. 消费类电子产品中的快速充电解决方案。
由于其高效的功率转换能力和较低的热生成,该 MOSFET 特别适合需要高密度功率处理的应用场景。
SI3406DS-T1-E3
IRLZ44N
FDP5570
AO3400A