时间：2025/4/28 17:17:01
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SI3424CDV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有低导通电阻、高效率和快速开关特性，适合于高频 DC-DC 转换器、负载点 (POL) 转换、电机控制、同步整流以及电池保护等应用。
该芯片通过优化的封装设计提供出色的散热性能，并且支持表面贴装技术 (SMD)，便于自动化生产和高效组装。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：27A
导通电阻：2.8mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：52nC（典型值）
输入电容：1960pF（典型值）
开关速度：快速
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：PowerPAK? 8x8
SI3424CDV-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关能力，可实现高频操作，从而减小无源元件尺寸并提高功率密度。
3. 高电流承载能力，适用于大功率应用。
4. 宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下仍能稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 封装紧凑，便于 PCB 布局设计和减少系统体积。
7. 提供强大的 ESD 保护功能，增强器件可靠性。
这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流器。
2. 工业设备中的电机驱动和控制电路。
3. 笔记本电脑及服务器的多相 VRM (电压调节模块) 解决方案。
4. 通信基站的电源管理单元。
5. 各类电池管理系统 (BMS)，如电动汽车和储能系统的充放电控制。
6. LED 照明驱动电路中的电流调节与开关功能。
SI3424DGU-T1-E3, IRF3710, FDP5500NL
