时间：2025/5/13 12:42:46
阅读：14
SI3407DV-T1 是一款由 Siliconix（现为 Vishay 公司旗下品牌）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen II 技术，具有极低的导通电阻和高开关速度，非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及各种电源管理应用。其小型化的封装设计使其成为对空间要求严格的便携式设备的理想选择。
该器件的最大特点是能够在较宽的电压范围内提供卓越的效率表现，并且支持高频操作，从而减少系统中的电感和电容尺寸，降低整体解决方案成本。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：6.2A
导通电阻(Rds(on))：5.5mΩ @ Vgs=4.5V
栅极电荷(Qg)：9nC
总功耗(Ptot)：0.8W
工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
封装类型：DSO-8
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关性能，支持高达 2MHz 的开关频率。
3. 小型化封装 DSO-8，节省 PCB 空间。
4.环保设计。
5. 提供优异的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠的运行状态。
6. 内置反向恢复时间短的体二极管，适合同步整流等高频应用。
1. 移动设备中的 DC-DC 转换器。
2. 笔记本电脑和台式机的电源管理系统。
3. 消费类电子产品的负载开关。
4. 通信设备中的电源模块。
5. 小型电机驱动控制。
6. 各种需要高效功率转换的场合。
SI3406ADP-T1
SI3408DV-T1
IRLZ44N
FDP5512
