时间：2025/6/11 20:04:22
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SI3407DV-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于多种功率转换应用。其小尺寸封装（TSOP6）使其非常适合空间受限的设计环境。
该器件的额定电压为 20V，适合用于低压系统中的开关和负载驱动场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：20V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
持续漏极电流(Id)：24A
导通电阻(Rds(on))：1.2mΩ
总功耗(Ptot)：1.6W
工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TSOP6
SI3407DV-T1-E3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流处理能力，支持高达 24A 的持续漏极电流。
3. 快速开关性能，适合高频应用。
4. 小型 TSOP6 封装，节省 PCB 空间。
5. 宽工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，适应恶劣环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保设计。
7. 内部保护功能较少，需外部电路配合实现全面保护。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机控制和驱动电路中的开关元件。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
4. 工业自动化设备中的信号切换。
5. 消费类电子产品中的高效功率管理。
6. 数据通信和网络设备中的电源管理模块。
由于其低导通电阻和高电流承载能力，它特别适合需要高效率和高功率密度的应用场景。
SI3406DS-T1-E3, SI3408DV-T1-E3
