时间：2025/6/29 15:16:13
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SI2366DS 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET Gen III 技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），适用于需要高效能功率转换的应用场景。其封装形式为 LLP2525-8 (SC-74)，非常适合空间受限的设计。
这款 MOSFET 的工作电压范围较宽，能够满足多种电源管理需求，同时其出色的开关性能和低栅极电荷特性使其在高频应用中表现出色。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：14A
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：9nC（典型值）
总栅极电荷：12nC（最大值）
输入电容：1050pF（典型值）
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI2366DS 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 采用先进的 TrenchFET Gen III 技术，优化了芯片结构以实现更佳的电气性能。
3. 小型化的 LLP2525-8 封装，节省 PCB 空间，适合便携式设备和其他紧凑设计。
4. 高温稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
5. 低栅极电荷和输出电荷，支持高频开关应用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子系统中。
SI2366DS 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC/DC 转换器的核心开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 可穿戴设备、笔记本电脑适配器等消费类电子产品中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
6. 太阳能逆变器以及其他新能源相关应用中的功率转换组件。
SI2304DS, SI2317DS, SI2344DS
