时间：2025/5/13 13:19:21
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MBRM120LT1G 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的肖特基二极管，由 Microchip 推出。该器件具有超低的正向压降和零反向恢复电荷特性，非常适合高频开关应用。其额定电压为 1200V，额定电流为 10A，能够在高温环境下保持稳定的性能。此外，MBRM120LT1G 具有出色的效率和可靠性，是功率转换系统中的理想选择。
最大重复峰值反向电压：1200V
连续正向电流：10A
正向压降（典型值）：1.45V
结电容：360pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-247
MBRM120LT1G 属于 SiC 肖特基二极管系列，与传统的硅二极管相比，它具备更高的效率和更低的功耗。由于其零反向恢复特性，能够显著降低开关损耗并提高系统的整体效率。
该器件还具有高耐压能力，适用于高压环境下的功率转换应用。其工作温度范围宽广，能够在极端条件下稳定运行。
此外，MBRM120LT1G 的封装设计确保了良好的散热性能，从而进一步提高了器件的可靠性和寿命。
MBRM120LT1G 广泛应用于高频功率转换领域，包括但不限于太阳能逆变器、电动汽车充电站、不间断电源 (UPS)、电机驱动器和 DC-DC 转换器等场景。其高效的性能和宽温度范围使其特别适合对效率和可靠性要求较高的工业及汽车应用。
在太阳能逆变器中，该二极管可有效减少能量损耗，提升发电效率；而在电动车充电系统中，MBRM120LT1G 则能提供快速充电能力和更高的能量传输效率。
MBR120LS1H
