时间：2025/9/14 10:53:13
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PSMN1R6-30BL,118 是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高功率密度的应用，具备低导通电阻、高耐压和优异的热性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制等功率电子系统。该MOSFET采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有良好的散热性能和可靠性。
类型：N沟道
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：120A（在Tc=25°C）
导通电阻(RDS(on))：1.6mΩ（最大值，典型值1.2mΩ）
栅极电荷(Qg)：45nC
功率耗散(PD)：100W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：LFPAK56（也称为Power-SO8）
PSMN1R6-30BL,118 具备一系列优异的电气和热性能。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，从而提高系统效率，特别适用于高电流应用。该器件采用先进的沟槽技术，确保在高电流下仍能保持稳定的导通性能。
此外，LFPAK56封装提供了出色的热管理能力，允许器件在高功率密度下运行而不至于过热。这种封装还具有双面散热能力，提高了热传导效率，适用于高密度PCB布局。
该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。其坚固的栅极氧化层设计可承受频繁的开关操作，提高器件的使用寿命。
PSMN1R6-30BL,118 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关速度，从而适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC转换器等。
同时，该器件符合RoHS环保标准，适用于各类绿色环保电子产品。
PSMN1R6-30BL,118 广泛应用于多种高功率电子系统中。常见的使用场景包括但不限于：DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电源管理系统、电机控制器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及汽车电子系统。在汽车应用中，它常用于车载充电器、起停系统、电动助力转向系统等。此外，该器件也适用于高性能计算设备中的电源模块，如服务器和高端PC的VRM（电压调节模块）设计。
PSMN0R9-30YLH,120; PSMN2R8-30YL,118; PSMN1R8-30PL,118
