时间：2025/5/7 10:00:55
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SI2365EDS-T1-GE3 是一款来自 Vishay Siliconix 的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用微型的 PowerPAK? 1212-8 封装，适用于需要高效率和低功耗的应用场景。其超低导通电阻和快速开关速度使其成为便携式设备、消费电子及工业应用中的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：9.7A
导通电阻（典型值）：3mΩ
栅极电荷：4nC
总电容：300pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SI2365EDS-T1-GE3 提供了卓越的性能表现，具有非常低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高系统效率。此外，该器件还具备快速开关能力，能够显著降低开关损耗。
其小型化的 PowerPAK? 1212-8 封装不仅节省了电路板空间，而且增强了散热性能。同时，由于采用了无引线封装设计，这种器件在高频应用中表现出更优的电气性能。
该 MOSFET 还支持较高的雪崩能量，从而提高了系统的可靠性和鲁棒性，特别适合用于要求严苛的工作环境。
这款功率 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池保护以及便携式电子设备的电源管理方案中。它也非常适合用作同步整流器，在高效率开关模式电源中发挥重要作用。
另外，由于其低导通电阻和紧凑尺寸的特点，SI2365EDS-T1-GE3 在多相供电系统、服务器和通信基础设施等应用领域同样表现出色。
SI2364DS, SI2342DS
