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SI2351DS-T1 发布时间 时间:2025/5/8 13:42:15 查看 阅读:5

SI2351DS-T1是Vishay Siliconix公司生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用微型DFN2020-8封装,具有低导通电阻和快速开关速度的特性,适用于各种电源管理和信号切换应用。它通常用于便携式设备、计算机外设、消费类电子产品等领域的负载开关、DC-DC转换器和电池管理电路中。
  由于其出色的性能和小型化设计,SI2351DS-T1非常适合需要高效率和小占板面积的应用场景。

参数

最大漏源电压:30V
  最大连续漏极电流:6.4A
  导通电阻(Rds(on)):7.5mΩ
  栅极电荷:10nC
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装类型:DFN2020-8

特性

SI2351DS-T1的主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,支持高频操作,适合现代高效电源转换需求。
  3. 小尺寸封装(2mm x 2mm),节省PCB空间,满足紧凑型设计要求。
  4. 支持较高的工作温度范围,确保在恶劣环境下的可靠运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

SI2351DS-T1广泛应用于以下领域:
  1. 移动设备中的负载开关,例如智能手机和平板电脑。
  2. 消费类电子产品的电源管理模块,如笔记本电脑适配器和充电器。
  3. DC-DC转换器中的同步整流和功率级开关。
  4. 电池供电系统的保护和管理电路。
  5. 工业控制和通信设备中的信号切换和驱动功能。

替代型号

SI2302DS, SI2309DS, SI2311DS

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