时间：2025/5/19 10:08:47
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SI2338DS-T1-GE3 是一款来自 Vishay 的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种电源管理应用，如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。
该器件封装为小尺寸的 ThinPAK 3x3-8L，具备出色的热性能和电气性能，适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：9.7A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：14nC
总电容（Ciss）：1190pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：ThinPAK 3x3-8L
SI2338DS-T1-GE3 基于 Vishay 的第三代 TrenchFET 技术，具有非常低的导通电阻，从而减少了传导损耗并提高了效率。其高开关速度有助于降低开关损耗，并且能够支持高频操作。此外，该器件的小型化封装设计使得其非常适合便携式设备和需要紧凑布局的应用场景。
由于采用了先进的工艺技术，该 MOSFET 在高温下的稳定性也非常出色，能够在极端温度条件下可靠运行。同时，其低栅极电荷设计进一步优化了开关性能，使其成为高效电源转换的理想选择。
该器件广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备领域。典型应用场景包括：
- 开关模式电源（SMPS）中的同步整流
- DC-DC 转换器
- 电池供电设备中的负载开关
- 电机驱动和保护电路
- 各类便携式电子产品中的电源管理模块
凭借其卓越的性能，SI2338DS-T1-GE3 成为了众多工程师设计高效能系统的重要选择。
SI2337DS, SI2341DS, IRF7846TRPBF
