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SI2337DS-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/25 19:01:21 查看 阅读:9

SI2337DS 是一款来自 Vishay 的 N 沃特功率 MOSFET,采用 DS 封装。该器件主要应用于需要高效率和低导通电阻的场景,其设计旨在支持高频开关应用,同时提供出色的热性能。
  该型号特别适合用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等场合。SI2337DS 的具体特性使其成为高效能电力电子应用的理想选择。

参数

类型:N 沃特 MOSFET
  Vds(漏源极电压):30V
  Rds(on)(导通电阻):1.8mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  Id(连续漏极电流):45A
  Pd(总功耗):240W
  封装:DS (TO-263-3)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

SI2337DS 具有较低的 Rds(on),这有助于减少传导损耗并提高整体效率。
  其较高的 Id 和 Pd 参数使得它能够承受较大的电流和功率需求。
  该器件还具备良好的开关性能,适用于高频应用,且具有优异的热稳定性,能够在广泛的温度范围内可靠运行。
  此外,该器件的短路耐受能力较强,增强了其在实际应用中的耐用性。
  由于采用了 DS 封装,SI2337DS 提供了紧凑的外形和优越的散热性能,方便安装在 PCB 上,并优化了空间利用率。

应用

该器件通常被用作高效的功率开关元件,适用于多种工业和消费类电子产品。
  常见应用包括但不限于以下领域:
  - DC-DC 转换器和降压/升压电路
  - 开关模式电源 (SMPS)
  - 电池管理系统 (BMS)
  - 负载开关和保护电路
  - 电机驱动和控制
  - 可再生能源系统中的逆变器
  由于其高效率和可靠性,SI2337DS 在这些应用中表现出色,能够满足现代电子设备对高性能功率管理的需求。

替代型号

SI2309DS, SI2336DS, IRF3707Z

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SI2337DS-T1-E3参数

  • 数据列表SI2337DS
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)80V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C270 毫欧 @ 1.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds500pF @ 40V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI2337DS-T1-E3TR