时间：2025/4/27 13:23:36
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SI2324DS 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小型化的 SOT-23 封装，广泛用于便携式设备中的高效开关应用。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合于负载开关、电源管理以及 DC-DC 转换器等场景。
SI2324DS 的设计目标是提供出色的性能与可靠性，同时保持小体积以适应现代电子设备对空间的严格要求。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：1.6A
导通电阻（Rds(on)）：185mΩ（典型值，Vgs=4.5V时）
栅极电荷：7nC（典型值）
总功耗：360mW
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：SOT-23
1. 极低的导通电阻能够减少功率损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度可以降低开关损耗并改善动态性能。
3. 小巧的 SOT-23 封装适合紧凑型设计，节省 PCB 空间。
4. 支持较高的工作温度范围，增强了器件在恶劣环境下的适用性。
5. 提供良好的静电防护能力（HBM > 2kV），提升了产品稳定性。
1. 移动设备中的负载开关和电源管理。
2. 各类 DC-DC 转换器及降压电路。
3. 开关模式电源（SMPS）中的次级侧同步整供电设备中的保护电路。
5. 小功率电机驱动和信号切换控制。
SI2304DS, BSS138, AO3400
