时间：2025/9/15 0:03:10
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BSP225,115 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于各种电源管理和开关应用。该器件采用小型的 TO-221 封装，具备良好的热性能和电流处理能力。该型号的命名中，"BSP225" 是产品系列和型号，而 "115" 则表示其特定的电气分组和测试标准。BSP225,115 在工业自动化、消费类电子产品和汽车电子中都有广泛的应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：1.7A
功耗（Ptot）：30W
导通电阻（RDS(on)）：约1.8Ω（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-221
BSP225,115 具有多种优良特性，使其在各种应用中表现出色。
首先，其漏源电压为100V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压电源管理应用。该器件的连续漏极电流为1.7A，在TO-221封装下具有较高的电流处理能力，适用于开关电源、DC-DC转换器等需要一定功率处理能力的场景。其栅源电压为20V，支持较高的驱动电压，有助于降低导通电阻并提高效率。
其次，该MOSFET的导通电阻（RDS(on)）在VGS=10V时约为1.8Ω，处于同类型器件的合理范围内，有助于减少导通损耗，提高整体效率。此外，BSP225,115 的功耗为30W，具备良好的热管理能力，能够在较高温度环境下稳定工作。
再者，该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，具有较宽的温度适应能力，适用于严苛的工业和汽车应用环境。采用TO-221封装，体积小巧，便于PCB布局和散热设计，同时具备良好的机械稳定性和热传导性能。
此外，BSP225,115 经过严格的质量测试和筛选，确保在各种应用中具备高可靠性和长寿命，适用于需要稳定性和耐久性的应用场景。
BSP225,115 适用于多种电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器和电源管理系统。由于其较高的漏源电压和良好的导通特性，该器件特别适合用于低功耗电源转换和管理电路。在工业自动化设备中，BSP225,115 可用于控制继电器、传感器和执行器等负载。此外，该MOSFET也可用于消费类电子产品中的电源管理模块，如智能家电、LED照明驱动和便携式设备的电池充电管理电路。在汽车电子应用中，它可被用于车身控制模块、车载娱乐系统和车载充电器等场景。
BUZ105S, 2N7000, IRLML2402, BSP135
