VRD2J2JPNX 时间：2025/8/22 3:25:16 阅读：5

VRD2J2JPNX 是 Vishay 公司生产的一款表面贴装功率 MOSFET，采用先进的 TrenchFET 技术制造，具有优异的导通电阻和热性能。这款 MOSFET 适用于高功率密度和高效率电源转换应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统。其封装为 8-PowerTDFN，具有较小的封装体积和良好的散热能力。

参数

型号：VRD2J2JPNX
　　类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　最大漏极电流（ID）：20 A（在 25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：5.2 mΩ（最大值，VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：27 nC
　　封装类型：8-PowerTDFN
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

VRD2J2JPNX 具有极低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低导通损耗，提高系统效率。其采用的 TrenchFET 技术使器件在高频开关应用中表现出色，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
　　该 MOSFET 的封装设计优化了散热性能，使其在高电流条件下仍能保持较低的温升，适用于紧凑型电源系统设计。此外，VRD2J2JPNX 还具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态负载或短路情况下的稳定性。
　　该器件的工作温度范围较宽，可在极端环境条件下稳定运行，适用于工业和汽车电子等要求严苛的应用场景。其栅极驱动电压范围宽，支持常见的 4.5V 至 20V 驱动电路，兼容多种控制芯片。