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SI2323CDS-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/22 22:43:55 查看 阅读:2

SI2323CDS 是一款来自 Vishay 的 N 沣道场效应晶体管 (N-MOSFET),采用小型化的 SOT-23 封装,适用于多种功率管理应用。该器件以其低导通电阻和快速开关能力著称,适合于消费电子、通信设备以及工业控制等领域的应用。
  该型号的后缀 -T1-GE3 表示其符合 Vishay 内部的质量标准,并具有特定的封装和测试条件,确保了产品的高可靠性和一致性。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:2.4A
  导通电阻(典型值):150mΩ
  栅极电荷:1.7nC
  总电容(输入电容):13pF
  功耗:0.6W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

SI2323CDS 具有低导通电阻和低栅极电荷的特点,能够有效降低传导损耗和开关损耗。同时,其 SOT-23 封装形式使得它在空间受限的应用中表现优异。此外,该器件还具备以下特点:
  1. 快速开关性能,减少能量损耗。
  2. 低寄生电感,提升整体系统效率。
  3. 宽工作温度范围,适应多种环境需求。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。
  这些特性使 SI2323CDS 成为便携式设备、电池供电产品和高效能转换电路的理想选择。

应用

SI2323CDS 广泛应用于需要高效功率管理的场景,具体包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
  3. 负载开关及保护电路。
  4. 电池管理系统中的功率路径控制。
  5. LED 驱动器和电机驱动电路。
  由于其紧凑的封装和高效性能,该器件特别适合移动设备、笔记本电脑适配器和其他便携式电子产品。

替代型号

SI2306DS, BSS138, 2N7002

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SI2323CDS-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C39 毫欧 @ 4.6A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1090pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI2323CDS-T1-GE3TR