时间：2025/8/16 13:29:32
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SI2321 和 CJ2321 是常见的 P 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）型号，广泛用于电源管理、负载开关、电池供电设备等领域。这两款器件通常以 SOT-23 或 SOT-323 小型封装形式出现，适合在空间受限的电路设计中使用。SI2321 是由 Siliconix（现为 Vishay 公司的一部分）生产的型号，而 CJ2321 则是国内厂商（如华润华晶 Microchip）的兼容型号。两者在电气特性和封装上高度兼容，适合用于低电压、中等功率的开关应用。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压 VDS：-20V
栅源电压 VGS：±8V
连续漏极电流 ID：-2.3A（VGS = -4.5V）
导通电阻 RDS(on)：约 75mΩ（VGS = -4.5V）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23/SOT-323
SI2321/CJ2321 的主要特性包括低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。其低导通电阻（RDS(on)）在 75mΩ 左右，有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件在 VGS = -4.5V 时即可实现接近最大导通状态，适用于由 5V 或 3.3V 电源供电的逻辑控制电路。
此外，SI2321/CJ2321 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有较高的电流承载能力和较低的开关损耗。其 SOT-23 封装结构使其易于在 PCB 上布局和焊接，特别适合用于便携式电子设备、DC-DC 转换器、负载开关和电源管理模块。
器件还具有良好的抗静电能力和较高的可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于工业级和消费类电子产品的设计。
SI2321/CJ2321 主要用于低压电源管理系统，例如电池供电设备中的负载开关、电机驱动、LED 照明控制、DC-DC 转换器以及各种小型电子设备中的功率开关电路。其低导通电阻和小封装特性使其非常适合用于移动设备、穿戴式电子产品、智能家居设备、小型无人机、便携式充电器等对空间和功耗要求较高的应用场景。
此外，该器件也常用于保护电路中，如过流保护、反向电流阻断和电能分配控制等。在许多现代电子系统中，它被用作高效的电子开关，替代传统的双极型晶体管（BJT）或机械继电器，从而提高系统效率并减少发热。
Si2301DS、AO3401A、IRML2602、FDN304P、CJ2302
