时间：2025/8/5 15:49:20
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IXFM26N50是一款由IXYS公司制造的N沟道功率MOSFET晶体管，主要用于高功率开关应用。该器件具有高耐压、低导通电阻以及快速开关特性，适用于电源转换、电机控制、逆变器和其他高功率电子设备。
类型: N沟道MOSFET
漏源电压(Vds): 500V
漏极电流(Id): 26A
导通电阻(Rds(on)): 最大值0.18Ω
栅极阈值电压(Vgs(th)): 2V至4V
最大功耗(Pd): 200W
封装类型: TO-247
IXFM26N50 MOSFET具备出色的导通和开关性能，能够在高电压和高电流条件下稳定工作。其低导通电阻确保了在导通状态下，功率损耗最小化，从而提高整体效率。此外，该器件采用了先进的平面技术，增强了热稳定性和可靠性。
该MOSFET还具有优异的雪崩能量承受能力，使其在面对突发的电压尖峰时仍能保持稳定运行。此外，IXFM26N50的封装设计有助于高效的散热管理，适用于需要长时间高负载工作的应用场景。
IXFM26N50广泛应用于各种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）系统以及工业自动化设备。其高可靠性和高效能特性使其成为工业和消费类电子产品的理想选择。
STF26N50M, FCP26N50, SPW26N50C3
