时间：2025/5/7 10:22:53
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SI2318DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小尺寸的 TSOT23-3 封装，适用于各种高效率、空间受限的应用场景。它具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合于负载开关、同步整流、DC-DC 转换器以及其他功率管理应用。
该器件在设计时注重降低功耗并提高系统效率，同时具备出色的热性能以确保稳定运行。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：3.5A
导通电阻（Rds(on)）：90mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
栅极电荷：7nC（典型值）
开关速度：快速
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
SI2318DS-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，在 Vgs = 4.5V 下仅为 90mΩ，能够有效减少传导损耗。
2. 快速开关能力，得益于其较小的栅极电荷，适合高频应用。
3. 高度集成的小型封装 TSOT23-3，有助于节省 PCB 空间。
4. 宽泛的工作温度范围，从 -55°C 到 +150°C，使其能够在恶劣环境下可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 内置反向漏源二极管，简化电路设计并提供额外保护。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 移动设备中的负载开关。
2. 各类 DC-DC 转换器的同步整流。
3. 电池供电系统的功率管理。
4. 消费电子产品的电源管理单元。
5. 工业控制及汽车电子中对小型化和高效能有要求的场合。
由于其优异的电气特性和紧凑的封装形式，SI2318DS-T1-GE3 成为众多便携式和高性能应用的理想选择。
SI2302DS, SI2307DS, SI2312DS
