时间：2025/5/10 14:50:13
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SI2318CDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用微型 TSSOP 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高效能的开关应用。这款 MOSFET 常用于电源管理、DC/DC 转换器、负载开关以及电机驱动等领域。
SI2318CDS 的设计优化了其在高频条件下的性能表现，并通过降低 Rds(on) 提高了效率，从而减少能量损耗。其额定电压为 30V，使其适合低压应用场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：7.9A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：6.1nC（典型值）
总功耗：1.2W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TSSOP
1. 极低的导通电阻，能够显著提高系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频操作，减少开关损耗。
3. 低栅极电荷，简化驱动电路设计。
4. 宽温度范围，确保在恶劣环境下可靠运行。
5. 微型封装，节省 PCB 空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC/DC 转换器的主开关或续流二极管替代。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. 汽车电子系统中的电机控制。
5. LED 驱动器和其他需要低损耗切换的应用。
6. 工业自动化设备中的信号切换与保护电路。
SI2308DS, SI2319DS, FDN337N
