类型：LDMOS射频功率晶体管
　　工作频率范围：DC至2.7 GHz
　　输出功率：典型值为30 W（在2.5 GHz）
　　增益：典型值为20 dB
　　效率：典型值为65%
　　工作电压：典型值为28 V
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　最大工作温度：+150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　热阻（Rth）：典型值为1.2°C/W
　　输入驻波比（VSWR）：典型值为2:1

LPB8233DT0AG 具备多项优异的电气和热性能特性，使其成为射频功率放大器的理想选择。其高输出功率能力（30W）和宽频率范围（DC至2.7GHz）使其适用于多种无线通信标准，如GSM、CDMA、WCDMA和WiMAX等。此外，该器件的高增益（20dB）和高效能（65%）有助于减少外部驱动电路的需求并提高整体系统效率。LPB8233DT0AG 采用坚固的LDMOS工艺，具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在恶劣的工作环境下长时间运行。其表面贴装封装形式（SMD）便于自动化生产和电路集成，同时具有良好的射频性能和热管理能力。该器件的输入驻波比（VSWR）为2:1，确保在较宽的频率范围内保持良好的阻抗匹配。此外，LPB8233DT0AG 还具有良好的线性度和失真性能，适用于需要高信号保真度的应用场景。

LPB8233DT0AG 主要应用于射频功率放大器、无线通信基站、蜂窝网络基础设施、WiMAX基站、广播发射机和工业射频设备等领域。其高输出功率和宽频率响应使其成为多标准基站和多频段通信系统中的理想选择。此外，该器件还可用于测试设备、射频加热系统和雷达系统等高功率射频应用场景。由于其高可靠性和优异的射频性能，LPB8233DT0AG 也广泛用于需要长时间连续运行的工业和通信设备中。

STL13N60DM2, SPF2708, MRF6V2300N