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SI2318A 发布时间 时间:2025/7/11 10:21:00 查看 阅读:14

SI2318A是Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用小型化的SOT-23封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点。其主要应用包括负载切换、DC-DC转换器、电机控制、便携式设备中的电源管理等。由于其出色的性能和紧凑的封装形式,SI2318A被广泛用于需要高效能和小尺寸的应用中。
  该器件在工作电压范围内的表现稳定,并且能够提供较高的电流承载能力,从而满足各种低功耗和高性能电子系统的需求。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:1.6A
  导通电阻:0.25Ω
  栅极电荷:7nC
  总电容:14pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:SOT-23

特性

1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高效率。
  2. 高速开关性能,适用于高频电路设计。
  3. 小型化SOT-23封装,节省PCB空间。
  4. 宽工作温度范围,适应各种环境条件。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅。
  6. 稳定的电气性能和可靠性,适合长时间运行的设备。

应用

1. 消费类电子产品中的负载开关。
  2. 移动设备和便携式设备的电源管理。
  3. DC-DC转换器及降压升压电路。
  4. LED驱动和背光控制。
  5. 电池管理系统中的保护电路。
  6. 各种工业控制和通信设备中的信号切换功能。
  7. 小型电机驱动与控制。

替代型号

SI2301DS, SI2306DS, SI2319DS

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SI2318A参数

  • 现有数量2,930现货
  • 价格1 : ¥2.96000剪切带(CT)3,000 : ¥0.84154卷带(TR)
  • 系列UMW
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.3A(Ta),5.6A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)42 毫欧 @ 4.3A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)9 nC @ 20 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)340 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.25W(Ta),2.1W(Tc)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3