时间：2025/7/11 10:21:00
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SI2318A是Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型化的SOT-23封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点。其主要应用包括负载切换、DC-DC转换器、电机控制、便携式设备中的电源管理等。由于其出色的性能和紧凑的封装形式，SI2318A被广泛用于需要高效能和小尺寸的应用中。
该器件在工作电压范围内的表现稳定，并且能够提供较高的电流承载能力，从而满足各种低功耗和高性能电子系统的需求。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.6A
导通电阻：0.25Ω
栅极电荷：7nC
总电容：14pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SOT-23
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高效率。
2. 高速开关性能，适用于高频电路设计。
3. 小型化SOT-23封装，节省PCB空间。
4. 宽工作温度范围，适应各种环境条件。
5. 符合RoHS标准，环保无铅。
6. 稳定的电气性能和可靠性，适合长时间运行的设备。
1. 消费类电子产品中的负载开关。
2. 移动设备和便携式设备的电源管理。
3. DC-DC转换器及降压升压电路。
4. LED驱动和背光控制。
5. 电池管理系统中的保护电路。
6. 各种工业控制和通信设备中的信号切换功能。
7. 小型电机驱动与控制。
SI2301DS, SI2306DS, SI2319DS
