时间：2025/4/29 13:17:40
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54FCT373ATDB 是一款高性能的 MOSFET 场效应晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电源管理、电机驱动以及 DC-DC 转换器等场景。
其封装形式为 TO-263，能够有效提升散热性能并支持高电流操作。
型号：54FCT373ATDB
类型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源极电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ
Id（连续漏极电流）：118A
Vgs（栅源极电压）：±20V
f(max)（最大工作频率）：5MHz
封装：TO-263
功耗：200W
54FCT373ATDB 具有非常低的导通电阻 Rds(on)，使其在大电流应用中表现出卓越的效率，并且减少了功率损耗。
此外，该器件具备快速开关能力，可实现高频工作环境下的高效转换。
其 ±20V 的栅源极电压范围提供了更广泛的兼容性，同时内置保护机制如过流限制和热关断功能增强了可靠性。
由于采用了 TO-263 封装，它还拥有出色的散热性能，适合长时间运行或高温条件下使用。
这款 MOSFET 广泛应用于各类需要高效能与高可靠性的场合，包括但不限于以下领域：
- 开关电源（SMPS）
- 电机驱动及控制电路
- 汽车电子系统中的负载切换
- 工业自动化设备中的信号调节
- DC-DC 转换器模块
- 太阳能逆变器及储能系统
54FCT374ATDB, IRFZ44N, FDP15U20E
