时间：2025/6/26 20:12:17
阅读：5
SI2314EDS-T1-E3是Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型化的PowerPAK SC-70-6封装形式，适合于空间受限的应用场景。由于其低导通电阻和高开关速度的特点，它被广泛应用于便携式设备、负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备等电路中。
此器件通过优化设计，具备出色的性能参数，能够有效降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻（Rds(on)）：55mΩ（典型值，Vgs=4.5V时）
栅极电荷：3nC（典型值）
反向恢复时间：无（因内部无体二极管）
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装类型：PowerPAK SC-70-6
1. 极低的导通电阻，在Vgs为4.5V时仅为55mΩ，从而减少导通损耗，提升整体效率。
2. 小巧的PowerPAK SC-70-6封装形式，节省PCB空间，适合用于紧凑型设计。
3. 高速开关能力，使得器件能够在高频应用场合保持高效运行。
4. 良好的热稳定性，适用于较宽的工作温度范围。
5. 可靠性高，符合RoHS标准，环保且耐用。
6. 内部无反向恢复二极管，避免了与之相关的额外损耗。
1. 移动通信设备中的负载开关控制。
2. DC-DC转换器及电源管理模块中的功率开关元件。
3. 电池供电设备中的功率管理方案。
4. 各种便携式电子产品的开关电路。
5. 照明系统中的驱动开关组件。
6. 消费类电子产品中的信号切换电路。
SI2316DS, SI2306DS, BSS138
