时间：2025/4/28 8:58:06
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SI2310是Vishay Siliconix公司生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小尺寸封装，适用于高频开关应用。其低导通电阻和高切换速度使其成为功率管理电路、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备的理想选择。
SI2310通过优化的制造工艺实现了较低的栅极电荷和输出电容，从而提高了效率并减少了开关损耗。此外，它还具备出色的热稳定性和可靠性，适合各种消费类电子产品及工业应用。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻（Rds(on)）：57mΩ @ Vgs=4.5V
栅极电荷：3.6nC
输入电容：135pF
输出电容：55pF
工作结温范围：-55°C to +150°C
封装类型：DFN1006-3
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高整体效率。
2. 小尺寸封装，节省PCB空间，非常适合便携式设备。
3. 快速开关性能，支持高频操作，减少磁性元件体积。
4. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子产品的合规要求。
5. 高度稳定的电气特性，在宽温度范围内表现一致。
6. 支持大电流，确保在负载波动时仍能稳定运行。
1. 移动设备中的负载开关和电源管理模块。
2. DC-DC转换器中的同步整流和开关元件。
3. 电池供电产品中的保护和控制电路。
4. 消费类电子产品中的小型化功率解决方案。
5. 工业控制和通信系统中的高效功率转换电路。
SI2308DS, SI2306DS
