时间：2025/8/2 5:54:43
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SIA468DJ-T1-GE3 是 Vishay Siliconix 推出的一款高性能双 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的 TrenchFET 技术制造。该器件被设计用于需要高效率和低导通电阻的应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电源管理系统。SIA468DJ-T1-GE3 采用 8 引脚 SOIC 封装，支持双 N 沟道配置，非常适合空间受限和高功率密度的设计需求。
类型：双 N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：8A（每个沟道）
导通电阻(Rds On)：18mΩ（最大值，典型值 13mΩ）
功耗(Pd)：3.2W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：8-SOIC
SIA468DJ-T1-GE3 具备多项先进特性，首先，其采用 Vishay 的 TrenchFET 技术，实现了极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了整体效率。
其次，该器件具有较高的栅极电压耐受能力，支持 ±20V 的栅源电压（Vgs），使其在复杂的开关环境中具有更强的稳定性。
此外，SIA468DJ-T1-GE3 的双 N 沟道结构允许在单个封装内实现两个独立的 MOSFET 器件，节省了 PCB 空间，同时简化了电路设计。
该器件的热性能优越，能够在高温环境下稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。
其封装形式为 8 引脚 SOIC，具有良好的焊接可靠性和机械稳定性，适合自动化装配流程。
最后，SIA468DJ-T1-GE3 具备快速开关能力，减少了开关损耗，适用于高频电源转换器应用。
SIA468DJ-T1-GE3 广泛应用于多种电力电子系统中，例如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路以及工业自动化控制系统。
在同步整流器中，由于其低导通电阻和快速开关特性，可以显著提升转换效率。
在 DC-DC 转换器中，该器件能够有效降低功率损耗，提高电源转换效率，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块。
作为负载开关使用时，SIA468DJ-T1-GE3 可实现对负载的高效控制，适用于多路电源管理或热插拔应用。
此外，该器件也常用于电机驱动器中，提供可靠的高电流开关能力。
在汽车电子领域，SIA468DJ-T1-GE3 可用于车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）等关键应用。
Si4468EDY-T1-GE3, IRF7484TRPBF, NDS351AN, FDS4682
