时间：2025/5/8 14:00:05
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SI2310-TP是Vishay Siliconix公司推出的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用了TrenchFET Gen II技术，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，非常适合于高频开关应用和负载切换场景。其封装形式为SOT-23，适合表面贴装工艺，广泛应用于便携式设备、电源管理电路以及通信设备等领域。
该器件的最大特点是能够以较小的封装实现高效的电流传输，同时保持较低的功耗和较高的可靠性。
最大漏源电压：30V
最大连续漏极电流：2.9A
导通电阻（Rds(on)）：65mΩ（典型值，当Vgs=4.5V时）
栅极电荷：1.8nC（典型值）
输入电容：170pF（典型值）
输出电容：40pF（典型值）
工作温度范围：-55℃至+150℃
SI2310-TP采用先进的TrenchFET技术制造，具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提升效率。
2. 小巧的SOT-23封装设计，适用于空间受限的应用场景。
3. 快速的开关速度，支持高频操作。
4. 高电流处理能力，能够在紧凑的空间内实现大功率传输。
5. 良好的热稳定性，确保在宽温度范围内可靠运行。
6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子系统中。
SI2310-TP适用于多种电子电路设计，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC/DC转换器中的高端或低端开关。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. 手机、平板电脑和其他便携式电子产品中的电源管理模块。
5. 数据通信设备中的信号切换。
6. 工业自动化控制中的小型驱动器电路。
由于其优异的性能和小尺寸，这款MOSFET特别适合需要高效率和紧凑设计的应用场合。
SI2303DS, SI2307DS, BSS138
