LMUN2133RLT1G 时间：2025/8/13 10:03:50 阅读：25

LMUN2133RLT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极性晶体管（BJT）阵列，内部集成了两个独立的NPN晶体管。该器件采用SOT-23-6小型封装，适用于需要高集成度和节省PCB空间的电路设计。每个晶体管具有相似的电气特性，使得其非常适合用于需要对称配置的应用，例如差分放大器或逻辑电平转换等场景。该晶体管阵列具备良好的稳定性和高频响应，是广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中的通用型器件。

参数

晶体管类型：NPN x2
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：在Ic=2mA时，hFE=110（最小值）
　　封装类型：SOT-23-6

特性

LMUN2133RLT1G 内部集成了两个NPN晶体管，它们共享相同的电气特性，这种集成设计可以显著减少PCB布局中的元件数量并提高系统的可靠性。
　　该器件的SOT-23-6封装形式不仅节省空间，而且具有良好的热性能，适用于表面贴装工艺，适合大批量自动化生产。
　　每个晶体管的最大集电极-发射极电压为30V，最大集电极电流为100mA，适用于中低功率放大和开关应用。
　　其过渡频率（fT）高达100MHz，使其在高频放大电路中表现出色，能够胜任射频前端、音频放大和高速开关等应用场景。
　　电流增益（hFE）在Ic=2mA时最低为110，说明该晶体管具有较高的电流放大能力，适合用于需要高增益的模拟和数字电路中。
　　此外，LMUN2133RLT1G 的功耗为300mW，具备良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。

应用

LMUN2133RLT1G 广泛应用于需要双晶体管结构的电路设计中，例如音频放大器、射频信号放大器和差分放大电路等模拟电路。
　　由于其高频响应特性，该器件也常用于无线通信设备中的射频前端电路，如低噪声放大器（LNA）和混频器等。
　　在数字电路中，LMUN2133RLT1G 可用于逻辑电平转换、缓冲器和驱动器电路，适用于微控制器外围接口电路的设计。
　　此外，该器件还适合用于电源管理电路中的开关应用，如DC-DC转换器、负载开关和LED驱动电路等。
　　由于其小型封装和高集成度，LMUN2133RLT1G 也非常适合用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的信号处理和传感器接口电路。